Источники:
http://www.phys.msu.ru/
http://www.msu.ru/science/articles/20130905.html
Исследователи физического факультета МГУ совместно с российскими и немецкими коллегами создали органические транзисторы и интегральные схемы на ультратонком активном слое толщиной в одну молекулу.
Органическая электроника обещает широкий спектр устройств (дисплеи, микросхемы, датчики и т.д.), которые могут быть сверхтонкими, легкими, гибкими и прозрачными и при этом дешевыми, что открывает новые применения, недоступные традиционной кремниевой электронике. Преимущества органической электроники также в том, что электронные устройства могут быть созданы с помощью т.н. «мокрых» технологий, т.е. нанесены на подложку из раствора методом струйной печати, распыления из аэрозольного баллончика и др. Одним из основных устройств здесь является органический полевой транзистор (ОПТ); по своей структуре он аналогичен обычному полевому транзистору. Электрический ток в ОПТ идет главным образом по тонкому слою органической полупроводниковой пленки толщиной в несколько нанометров. И, если удается получить мономолекулярную пленку с хорошо упорядоченной структурой, на этом слое можно создать ультратонкие и эффективные органические транзисторы. Ранее эффективные монослойные ОПТ получали методом молекулярной самосборки (self-assembled monolayer, SAM), для этого подложку надо было погружать в раствор, содержащий полупроводниковые органические молекулы, и ждать много часов, чтобы молекулы «прилипли» к подложке и образовали упорядоченный слой.
В своей работе, недавно опубликованной в журнале Applied Physics Letters (http://dx.doi.org/10.1063/1.4816839), исследователи с физического факультета МГУ под руководством доцента кафедры общей физики и волновых процессов Дмитрия Паращука совместно с коллегами из Института синтетических полимерных материалов РАН (ИСПМ РАН) изготовили работающие ультратонкие ОПТ, где монослой молекул толщиной в 3.5 нм нанесли методом Ленгмюра-Блоджетт. Нанесение данным методом занимает всего несколько минут. Вначале мономолекулярный кристаллический слой образуется на поверхности воды, а после переносится на подложку с электродами, при этом не теряя внутренней высокоорганизованной структуры. Полученные ОПТ обладали электрическими характеристиками, которые были не хуже, чем при использовании более затратной по времени SAM. Важно, что в отличие от метода SAM, ленгмюровская пленка очень слабо связана с подложкой, что, однако, не мешает хорошей работе ОПТ. Исследователи также изготовили интегральные схемы из большого числа ОПТ (инвертор и генератор), в чем им помогли немецкие коллеги из Института Макса Планка в Майнце. Выполненная работа открывает заманчивые перспективы производства ультратонкой электроники на основе метода Ленгмюра-Блоджетт.
Исследование проведено с применением оборудования, поставленного в рамках Программы развития МГУ.