Взаимодействие ионов с веществом. Ядерно-физические методы и физические свойства наноструктур 21 июня, 2012 - 11:00

Дата события: четверг, 21 Июня, 2012 - 11:00

Событие:

Доклад(ы):

    High energy ion channeling implantation in silicon crystals
    Автор(ы) доклада: Dr. Srdjan Petrovic
    Влияние дефектов и дефектообразования на каналирование атомных и~молекулярных частиц малых энергий в углеродных нанотрубках (по~материалам кандидатской диссертации)
    Автор(ы) доклада: Степанов Антон Викторович

Место проведения: Россия, Москва, микрорайон Ленинские Горы, 1с5 (19 корпус), комната 2-15

Научный руководитель:

Секретарь: Затекин Владимир Витальевич

Структурные подразделения: